01 сентября 2006 года, 17:59 |
Текст: Владимир Парамонов
Американские учёные из работают над созданием . Технология в перспективе может привести к появлению сверхмощных вычислительных комплексов с низким энергопотреблением.
Модель одномолекулярного транзистора
Разрабатываемая методика получила название QuIET (сокращённо от Quantum Interference Effect Transistor, что можно перевести как транзистор с эффектом квантовой интерференции). Основным элементом такого транзистора является кольцеобразная молекула бензола, к которой подсоединены три электрода. Два из этих электродов создают возможные пути для распространения волн. Третий электрод служит для изменения фазы волн, которые в результате интерференции определяют одно из двух возможных состояний транзистора.
Ранее учёным уже удавалось соединять молекулы с двумя электродами, однако при подключении третьего возникали трудности. Исследователям из Аризонского университета удалось найти способ решения проблемы. В настоящее время учёные пытаются запатентовать свою разработку, PhysOrg. Впрочем, практическое применение новой технологии вряд ли начнётся ранее 2015 года.
Характеристики транзисторов пытаются улучшить специалисты и многих других научно-исследовательских организаций. Например, учёные из Рочестерского университета транзистор с баллистическим отклонением, который допускает управление движением отдельных электронов. Технология теоретически позволит создавать микрочипы, работающие на частотах до 3 ТГц (3000 ГГц).