Корпорация Intel сообщила о достижении очередных успехов в сфере разработки кремниевых микрочипов, способных передавать данные по оптическим линиям связи.

Кремниевый лазерный модулятор Intel

Как отмечает в своем блоге Аньшэн Лю, исследователь Intel, специалистам корпорации удалось создать кремниевый лазерный модулятор, способный преобразовывать электрические сигналы в световые импульсы с очень высокой частотой. Устройство обеспечивает возможность передачи данных со скоростью до 40 Гбит/с. Совместив такие модуляторы с 25 гибридными кремниевыми лазерами на одном чипе, теоретически можно добиться пропускной способности в 1 Тбит/с.

Предполагается, что в перспективе разработка Intel поможет избавиться от традиционных шлейфов с проводниками из меди, которые в настоящее время используются для связи друг с другом компонентов компьютеров и других электронных устройств. Применение оптических линий связи позволит значительно повысить скорость передачи данных. Кроме того, в отличие от обычных медных проводников, нагревающихся из-за электрического сопротивления, оптические соединения не будут выделять тепло в процессе передачи импульсов.

Нужно отметить, что в начале нынешнего года корпорация Intel в рамках ежегодной конференции Photonics West в Сан-Хосе (Калифорния) показала оптический модулятор на кремниевом чипе, способный преобразовывать электрические сигналы в световые импульсы с частотой до 20 ГГц. Теперь исследователям Intel удалось улучшить собственное достижение. Впрочем, о возможных сроках коммерциализации предложенной методики исследователи пока умалчивают.